સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર ક્ષમતા સમસ્યાનું ઉદાહરણ

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર ક્ષમતા પ્રશ્નોના 7 ઉદાહરણો

1. C ની ક્ષમતાવાળા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની વેક્યુમ પરમિટિવિટી ε છે_o, ક્રોસ-સેક્શનલ એરિયા A અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર d. જો કેપેસિટરનો ક્રોસ-સેક્શનલ એરિયા 4 ગણો વધારવામાં આવે, તો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર 2d થાય છે અને વેક્યુમ પરમિટિવિટી 5ε થાય છે._o, માકા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર ક્ષમતા તે... માં ફેરવાય છે.
ચર્ચા
ડિકેતાહુઈ :
પૂછ્યું : જો શૂન્યાવકાશ પરવાનગી = 5ε_o, ક્રોસ-સેક્શનલ એરિયા = 4A અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર = 2d હોય તો સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની ક્ષમતા... માં બદલાય છે.
જવાબ :
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની ક્ષમતા તેની પ્રારંભિક ક્ષમતા કરતા 10 ગણી થઈ જાય છે.

2. નીચેના ગ્રાફના આધારે સૌથી મોટી ક્ષમતા ધરાવતું કેપેસિટર... છે.

ચર્ચા
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર સૂત્ર :
દરેક કેપેસિટરની ક્ષમતા :
સૌથી મોટી કેપેસિટર ક્ષમતા ધરાવતું કેપેસિટર 3 (C) કેપેસિટર છે.₃).

3. નીચેના પરિબળો પર ધ્યાન આપો!
(1) ડાઇલેક્ટ્રિક સ્થિરાંક
(2) પ્લેટો વચ્ચે સંભવિત તફાવત
(3) પ્લેટની જાડાઈ
(૪) ડિસ્કનું સપાટી ક્ષેત્રફળ
(5) બે ટુકડાઓ વચ્ચેનું અંતર
(6) ઇલેક્ટ્રિક ચાર્જનું પ્રમાણ
ક્ષમતાને અસર કરતા પરિબળો સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર છે…
ચર્ચા
કેપેસિટર ક્ષમતા સૂત્રના આધારે, એવું તારણ કાઢવામાં આવે છે કે કેપેસિટર ક્ષમતાને પ્રભાવિત કરતા પરિબળો (1), (4) અને (5) છે.

૪. કેપેસિટર ૧ અને ૨ ની ક્ષમતાઓની સરખામણી... છે.

ચર્ચા
ડિકેતાહુઈ :
કેપેસિટર 1:
સપાટીનું ક્ષેત્રફળ = 2A
પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર = d₁
કેપેસિટર 2:
સપાટીનું ક્ષેત્રફળ = A
પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર = 2 ડી₁
પૂછ્યું : કેપેસિટર 1 અને 2 ની ક્ષમતાઓની સરખામણી
જવાબ :
કેપેસિટર 1 અને 2 ની ક્ષમતાઓની સરખામણી:

5. નીચેની આકૃતિ બે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર I અને II દર્શાવે છે.
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર I અને II ની ક્ષમતાઓની સરખામણી...

અ. ૧ : ૪
બી. ૧: ૨
સી. ૨: ૧
ડી. ૪: ૧
ભાગ 6: 1

ચર્ચા
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર I:
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર II:

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર I અને II ની સરખામણી:

સાચો જવાબ A છે.

6. નીચે આપેલા બે જોડી સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું ચિત્ર જુઓ! જો A ₁ = ½ A ₂ અને d ₂ = 3 d ₁ હોય તો ચિત્ર (2) અને ચિત્ર (1) વચ્ચેના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની ક્ષમતાનો ગુણોત્તર... છે.

A. 2/5
બી. 2 / 3
સી 3/4
ડી. 3/2
ઇ. 4/3

ચર્ચા
ડિકેતાહુઈ :
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર 1:
A₁ = 1
d₁ = 1
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર 2:
A₂ = 2
d₂ = 3
પૂછ્યું : સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર્સ 2 અને 1 ની ક્ષમતાની સરખામણી
જવાબ :
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર I:
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર II:
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર II અને I ની સરખામણી:
સાચો જવાબ B છે.

7. ધાતુના બે સમાંતર ટુકડાઓ વચ્ચેનું અંતર 0,2 સેમી છે. ધાતુના બે ટુકડાઓ પર વિપરિત વિદ્યુત ચાર્જ આપવામાં આવે છે જ્યાં સુધી સંભવિત તફાવત 20.000 વોલ્ટ સુધી ન પહોંચે. ઇલેક્ટ્રોન ચાર્જ 1,6 × 10 ^–19 C છે. બે ધાતુના ટુકડાઓ વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોન પર કુલોમ્બ બળનું મૂલ્ય અને દિશા... છે.

A. 0,80 × 10^-12 N, ઉપર
બી. ૧૮ × ૧૦^-12 N, નીચે
સી. ૫૨ × ૧૦^-12 N, ઉપર
ડી. ૬૦ × ૧૦^-12 N, નીચે
ઇ. ૮૧ × ૧૦^-12 N, ઉપર
ચર્ચા:
ડિકેતાહુઈ :
d = 0,2 સેમી = 0,002 મીટર
વી = 20.000 વોલ્ટ
ઇ = ૧.૬૨ x ૧૦^-19 C
પૂછ્યું :
વિદ્યુત બળ (F) ?
જવાબ :
ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્ર, વોલ્ટેજ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર માટેનું સૂત્ર :
E = V/d
વર્ણન: E = વિદ્યુત ક્ષેત્ર, V = વોલ્ટેજ, d = પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર
કુલોમ્બ બળ સૂત્ર, વિદ્યુત ક્ષેત્ર અને ચાર્જ :
એફ = ક્યૂ ઇ
વર્ણન: F = કુલોમ્બ બળ અથવા વિદ્યુત બળ, q = ચાર્જ, E = વિદ્યુત ક્ષેત્ર
ઇલેક્ટ્રોન પર કુલોમ્બ બળનું મૂલ્ય અને દિશા :
એફ = ક્યૂ ઇ = ક્યૂ વી / ડી
F = (1,62 x 10^-19 સી)(૨૦,૦૦૦ વી) / ૦.૦૦૨ મીટર
એફ = 1,62 x 10^-12 N
ઇલેક્ટ્રોન ઋણભારિત હોય છે, તેથી તેઓ ઋણ પ્લેટ દ્વારા ભગાડવામાં આવે છે અને ધન પ્લેટ દ્વારા આકર્ષાય છે. તેથી બળની દિશા ઉપરની તરફ હોય છે.
સાચો જવાબ E છે.