單一電荷產生的電場
計算 電場 由單一正電荷產生的等離子體,第一步是選擇一個半徑為 r 的球面高斯面,球心位於該單一電荷處。球的表面積為 4πr2.
從球心發出的電場垂直穿透球的表面,因此電通量公式為Φ = E A。高斯定律的公式為 Φ = Q / ε o
距離單一電荷 r 處的電場強度為:
描述:E = 電場,k = 庫侖常數(9 10點¯x9 納米2/C2其中,Q = 電荷量,r = 距電荷的距離
均勻帶電實心球體內部和外部的電場
一個實心球體帶有均勻的正電荷,總電荷量為Q,體積為V = 4/3 π R 3,球體內的電荷密度為ρ = Q/V。求球體內部和外部的電場強度。
a) 實心球內部的電場
實心球的半徑為 R,而所選高斯面是半徑為 r 的球,其中 r < R。實心球的體積為 V,高斯面的體積為 V'。
高斯球內部的電荷量為:
從球心發出的電場垂直穿透球的表面,因此電通量的公式為: Φ = E A。高斯定律公式為 Φ = Q / εo
實心球體中心距離為 r 處的電場強度為:
根據上述公式,電場 (E) 與電荷 (Q) 和高斯面的半徑 (r) 成正比,與實心球半徑 (R 3 ) 的立方成反比。
b) 實心球體體外的電場
一個實心球的半徑為 R,而一個球面高斯面的半徑為 r,其中 r > R。實心球的電荷量為 Q;實心球位於高斯面內部,因此高斯面內部的電荷量為 Q。
電場從球心發出,垂直穿透球體表面,因此電通量公式為Φ = E A。高斯定律的公式為 Φ = Q / ε o
實心球中心距離為 r 處的電場強度為:
均勻帶電空心球殼內外的電場
一個半徑為R,體積為V = 4/3 π R 3的空心球,其球殼上均勻分佈正電荷,總電荷量為Q。求球殼內部和外部的電場強度。
a) 空心球體內部的電場
因此,空心球的特徵在於其表面帶電荷,而內部不帶電荷。如果所選的高斯面是球面,且該高斯面位於空心球內部,則高斯面內部不帶電荷。由於電荷為零,因此電場也為零。所以,空心球內部的電場為零。
b) 空心球體外的電場
空心球的半徑為 R,而所選的高斯面是半徑為 r 的球,其中 r > R。
從球心發出的電場垂直穿透球的表面,因此電通量公式為Φ = EA = E 4π r 2。高斯定律公式為Φ = Q / ε o。
空心球中心距離為 r 處的電場強度為:
細帶電導線附近的電場
一條無限長的細導線承載著均勻的正電荷,電荷密度為λ 。導線上的電荷量為Q = λl。求細導線周圍的電場強度。
高斯曲面被選為長度為 l、半徑為 r 的圓柱面。此曲面有兩種形式,即位於圓柱面兩端的半徑為 r 的圓形曲面(表面積為 πr2) 以及一個長度為 l 的圓柱面(其表面積為 2)。πr l).
導線帶正電荷,因此電場垂直於管壁表面向外輻射,電通量為Φ = EA = E 2πr l 。另一方面,電場平行於管的兩端呈圓形,因此電通量為零。
距離導線 r 處的電場強度為:



